【48812】中子勘探器关键技能和器材完成国产化

　　新华社广州10月17日电（记者 田建川）记者从我国科学院高能物理研讨所东莞研讨部得悉，近来，我国散裂中子源勘探器团队成功制备出高功能大面积碳化硼薄膜，完成了中子勘探器关键技能和器材的国产化。

　　我国散裂中子源是坐落广东省东莞市境内的大科学设备，被誉为调查微观世界的“超级显微镜”，能在不对物质形成损坏的前提下“看穿”资料的微观结构，中子勘探器便是这一个大科学设备的“眼睛”。

　　据了解，此次制备出的碳化硼薄膜样品单片面积到达1500毫米×500毫米，薄膜厚度1微米，全尺度规模内厚度均匀性优于±1.32%，是现在国际上用于中子勘探的最大面积的碳化硼薄膜。该样品由我国自主研发的磁控溅射大面积镀硼专用设备制备。

　　根据硼转化的中子勘探器因其优异的功能已成为当时国际上研讨的热门，跟着我国散裂中子源二期工程行将发动，拟建的中子谱仪对大面积、高效率、方位活络的新式中子勘探器需求急迫。制备出高功能中子转化碳化硼薄膜是其中最中心的技能，现在只要美国和欧洲少量几个发达国家把握了该项技能。

　　2016年，在核勘探与核电子学国家要点实验室的支撑下，我国散裂中子源勘探器团队与同济大学教授朱京涛协作，开端研发一台磁控溅射大面积镀硼专用设备，镀膜厚度规模为0.01微米至5微米，一起支撑单、双面镀膜，支撑射频和直流镀膜。2021年6月，该设备通过了要点实验室检验并投入使用。

　　通过多年的技能攻关和工艺试制，我国散裂中子源勘探器团队霸占了溅射靶材制造、过渡层挑选、基材外表处理等对镀膜质量影响大的关键技能，使用该镀硼专用设备制备了多种标准的碳化硼薄膜，并成功应用于我国散裂中子源多台中子谱仪上的陶瓷GEM（气体电子倍增器）中子勘探器，完成了中子勘探器关键技能和器材的国产化，为接下来研发更大面积的高功能新式中子勘探器供给了强有力的技能支撑。